ASTM F374-2002 用单型程序直列式四点探针法测定硅外延层、扩散层、多晶硅层和离子注入层的薄膜电阻的标准试验方法

作者:标准资料网 时间:2024-05-12 13:42:33  浏览:8805   来源:标准资料网

【英文标准名称】:StandardTestMethodforSheetResistanceofSiliconEpitaxial,Diffused,Polysilicon,andIon-implantedLayersUsinganIn-LineFour-PointProbewiththeSingle-ConfigurationProcedure
【原文标准名称】:用单型程序直列式四点探针法测定硅外延层、扩散层、多晶硅层和离子注入层的薄膜电阻的标准试验方法
【标准号】:ASTMF374-2002
【标准状态】:作废
【国别】:
【发布日期】:2002
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:F01.06
【标准类型】:(TestMethod)
【标准水平】:()
【中文主题词】:试验;电阻器;电子工程;薄板材;层;硅
【英文主题词】:collinearfour-probearray;diffusedlayer;epitaxiallayer;four-pointprobemethod;implantedlayer;Ion-implantedlayer;probemethods-four-pointprobe;resistance(electrical)-semiconductors;sheetresistance;siliconsemiconductors;sheetresistance
【摘要】:ThisstandardwastransferredtoSEMI(www.semi.org)May20031.1Thistestmethodcoversthedirectmeasurementoftheaveragesheetresistanceofthinlayersofsiliconwithdiametersgreaterthan15.9mm(0.625in.)whichareformedbyepitax
【中国标准分类号】:H81
【国际标准分类号】:29_045
【页数】:17P.;A4
【正文语种】: